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石墨烯边缘结构影响自身电性能

发布时间:2017-12-03 阅读:

  石墨烯边缘结构具有自己的电性能

  石墨烯是单层碳,在纳米电子应用的未来具有很大的优势。最近,在伊利诺伊大学厄巴纳 - 香槟分校进行的一项实验表明,石墨烯边缘处的晶体取向对其电性能有相当大的影响。研究人员已经开发了一种将纳米级石墨烯沉积和切片到清洁的半导体表面上,然后使用扫描隧道显微镜以原子分辨率检查石墨烯的电子结构的方法。结果表明,锯齿边缘呈现出强烈的边缘状态,而扶手椅边缘则没有出现类似的情况。在尺寸小于10nm的边缘处主要锯齿形的石墨烯片表现出金属性质,而不是先前预期的半导体性质。与碳纳米管不同,石墨烯是一种更适合于传统芯片制造工艺的平面结构,但是该实验的结果表明石墨烯必须被设计为用于纳米电子器件的边缘控制工程以获得均匀的材料性能。在一块大小为5nm的石墨烯上,只要边缘的一小部分是锯齿形的,材料就会从半导体变成导体。相关论文发表在“自然 - 材料”(Nature Materials)上。 (来源:中国科学院上海硅酸盐研究所)(Nature Materials,doi:10.1038 / nmat2378,Kyle A. Ritter,Joseph W. Lyding

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